(1)了解MOS场效应晶体管的制造工艺流程，了解工艺参数对器件结构和掺杂分布的影响。

(2)掌握采用TSUPREM4等工艺仿真软件进行MOS场效应晶体管虚拟制造的方法，能够根据工艺要求编写相应的程序，并能够通过优化工艺参数来实现特定的器件结构。

(3)了解MOS场效应晶体管的工作机理，了解器件结构参数对器件各种电学特性的影响关系。

(4)掌握采用MEDICI等器件模拟软件进行MOS场效应晶体管虚拟测试的方法，能够编写各种电学特性测试的程序，并选择正确的模型和求解方法，能够通过优化器件结构参数来获得所需要的器件性能指标。

(5)掌握TSUPREM4+MEDICI举行工艺、器件和电路联合模拟的方法，能够用该方法对简单的CMOS电路的工作特性进行材料和物理级的模拟和仿真。

(6)培养学生综合运用所学多门课程的专业知识解决复杂科学问题和工程问题的能力，并在解决问题的过程中展现出创新意识和创新精神。

操作资源账号nanyou01，nanyou02,nanyou03,nanyou04,nanyou05，密码nanyou.com,后台linux 用户名root，密码123456

实验操作说明

1)通过任意一款客户端软件，从计算机或手机登录教学资源所在的服务器。用户名为virtualmandt，密码为virtualm&t。

2)在桌面上有三个文件夹，分别为nmos、pmos和cmos，分别对应于NMOS晶体管、PMOS晶体管和CMOS单元的虚拟仿真。

3)NMOS虚拟制造：

4)NMOS虚拟测试：

5)PMOS虚拟制造：

6)PNMOS虚拟测试：

7)CMOS虚拟制造：

虚拟仿真平台使用须知：

1、请使用支持HTML5技术的浏览器。IE需要升级至 IE9 以上，或使用谷歌Chrome，火狐FireFox，苹果Safari等浏览器。也可以在iPad、iPhone、Android等智能终端上进行体验。

2、登陆平台后请选择EDA-Linux服务器进行本项目的实验。

帐号规则：

操作资源账号nanyou01，nanyou02,nanyou03,nanyou04,nanyou05，密码nanyou.com,后台linux 用户名root，密码123456